AXH-25SD03 2T SSD硬盤
2TB SATA SSD為軍用級數(shù)據(jù)安全雙自毀固態(tài)硬盤，可支持物理銷毀、智能銷毀功能，面向特殊的軍工產(chǎn)品數(shù)據(jù)安全應(yīng)用需求，擁有加固設(shè)計(jì)、熱設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì)、兼容性設(shè)計(jì)等方面的豐富經(jīng)驗(yàn)和工程能力，具有高速、大容量、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。本品為2.5寸標(biāo)準(zhǔn)固態(tài)硬盤架構(gòu)，采用先進(jìn)的SSD控制器和高品質(zhì)的MLC NAND Flash芯片，讀寫速度最高可達(dá)550MB/s和430MB/s，產(chǎn)品標(biāo)稱容量2TB，結(jié)合設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)多年的工程經(jīng)驗(yàn)開發(fā)，產(chǎn)品具備加固、高溫度適應(yīng)性、高可靠性、高品質(zhì)、多功能數(shù)據(jù)安全等特點(diǎn)。相關(guān)產(chǎn)品及技術(shù)儲(chǔ)備已覆蓋目前主流軍工計(jì)算機(jī)體系相關(guān)存儲(chǔ)配套要求，可廣泛適用于地面、艦載、空裝、雷達(dá)、導(dǎo)航等領(lǐng)域。
2. 產(chǎn)品主要特點(diǎn)
- 產(chǎn)品支持 SATA III6.0Gb/s、 SATA II3.0Gb/s and SATA I 1.5Gb/s 接口協(xié)議；
- 產(chǎn)品具有 ECC 校驗(yàn)錯(cuò)誤功能，每 1024 字節(jié)扇區(qū)支持 66 位的糾錯(cuò)能力;
- 產(chǎn)品具有智能銷毀+物理銷毀雙自毀功能，最快3秒內(nèi)完成全盤NAND Flash物理銷毀；
- 產(chǎn)品電路采用自主優(yōu)化設(shè)計(jì)，充分考慮防浪涌，抗靜電，超負(fù)載電源冗余設(shè)計(jì)，全盤三防噴涂，保障軍工可靠性；
- 產(chǎn)品嚴(yán)格按照GJB9001C-2017質(zhì)量體系研發(fā)生產(chǎn)；
- 具有增強(qiáng)型多級掉電數(shù)據(jù)保護(hù)功能；
- 產(chǎn)品具有高級動(dòng)態(tài)和靜態(tài)均衡損耗算法；
- 產(chǎn)品具有壞塊智能管理功能；
- 產(chǎn)品支持 S.M.A.R.T 命令；
- 產(chǎn)品支持 Trim 和 NCQ (Native Command Queuing)命令；
3. 特征
3.1 主要特征
產(chǎn)品型號 | AXH-25SD03 | ||
物理規(guī)格 | 接口 | SATA III | |
尺寸 | 100.2mm×69.85mm×9.0mm (長×寬×高）公差±0.1mm | ||
標(biāo)稱容量 | 2TB | ||
①寫入承受能力 | 4600TB | ||
閃存類別 | MLC型NAND Flash | ||
②實(shí)際容量 | 1888GB | ||
緩存容量 | 2GB | ||
③性能 | 最大順序讀取速度 | 550 MB/s | |
最大順序?qū)?/span>入速度 | 430 MB/s | ||
電氣特性 | 輸入電壓 | DC 5V ± 5% | |
空閑功耗 | <0.5W | ||
④最大寫入功耗 | <4.5W | ||
④最大讀取功耗 | <2W | ||
硬銷毀電壓 | 28V | ||
硬自毀電流 | <3A | ||
可靠性 | Flash管理 | 具有高級動(dòng)態(tài)和靜態(tài)均衡損耗算法以及壞塊管理功能 | |
掉電保護(hù)功能 | 具有增強(qiáng)型多級掉電數(shù)據(jù)保護(hù)功能 | ||
MTBF | 2,000,000小時(shí) | ||
ECC | 內(nèi)建EDC/ECC糾錯(cuò)功能 66bit 1KB BCH | ||
電路設(shè)計(jì) | 抗浪涌，防靜電，超負(fù)載電路冗余設(shè)計(jì) | ||
數(shù)據(jù)完整性 | 10年 | ||
SMART信息 | 支持SMART功能 | ||
三防 | 支持三防噴涂 | ||
環(huán)境參數(shù) | 存儲(chǔ)溫度 | -55℃～+95℃ | |
工作溫度 | 寬溫級 (-40℃～+85℃) | ||
操作濕度 | 95%（不凝結(jié)） | ||
存儲(chǔ)濕度 | 95%（不凝結(jié)） | ||
抗沖擊力 | 1500G(@ 0.5ms half sine wave) | ||
抗振動(dòng)力 | 15G (10 to 2000Hz) | ||
重量 | <100g | ||
銷毀支持 | 硬銷毀 P1 P2管腳28V輸入后立刻觸發(fā)硬銷毀，全盤NAND Flash銷毀時(shí)間不超過3秒 智能銷毀 P13管腳輸入一個(gè)1s以上低電平觸發(fā)銷毀，銷毀時(shí)間不超過15秒 | ||
①: 可寫入的總數(shù)據(jù)量=容量*FLASH 可擦寫次數(shù)/寫入放大
② 最大對應(yīng)性能測試軟件為ATTO Disk Banchmarks V2.47
③實(shí)際容量測試以磁盤管理中容量為準(zhǔn)
④以上測試數(shù)據(jù)基于IOmeter軟件運(yùn)行持續(xù)讀寫時(shí)和待機(jī)狀態(tài)下測試出來的數(shù)據(jù)
3.2 產(chǎn)品圖片
4. 智能銷毀
智能銷毀是通過外部信號觸發(fā)主控自帶的智能銷毀命令，使固態(tài)硬盤執(zhí)行快速數(shù)據(jù)銷毀流程。數(shù)據(jù)銷毀程序通過控制器對固態(tài)硬盤內(nèi)Flash進(jìn)行覆寫操作，以銷毀用戶塊和緩存塊里面的全部數(shù)據(jù)，這個(gè)過程不會(huì)對硬盤內(nèi)部芯片造成任何損傷，重新上電后硬盤數(shù)據(jù)清除過程完成，對硬盤進(jìn)行格式化后便可再次使用,智能銷毀也稱軟銷毀。
智能銷毀操作步驟
A.在硬盤處于工作狀態(tài)的任意時(shí)刻，通過按鍵（設(shè)置在機(jī)箱或其它計(jì)算機(jī)設(shè)備表面上， P13和地相連接的開關(guān)）觸發(fā)硬盤的一鍵智能銷毀功能，在一個(gè)寬度至少1秒以上的低電平脈沖作用下，啟動(dòng)數(shù)據(jù)銷毀進(jìn)程。
注：1、確保P13/P14/P15相互獨(dú)立 ,防止銷毀功能誤觸發(fā)或燒毀硬盤。2、按下才能啟動(dòng)后續(xù)銷毀進(jìn)程。
B. 整個(gè)數(shù)據(jù)銷毀進(jìn)程持續(xù)最大不超過15秒 ,正常結(jié)束后需要重啟計(jì)算機(jī)。
C. 計(jì)算機(jī)重啟后，硬盤內(nèi)所有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)將丟失，可通過分區(qū)工具或硬盤管理軟件對硬盤進(jìn)行格式化并重裝操作系統(tǒng)。
5. 物理銷毀
物理銷毀是通過外部高電壓灌入，使固態(tài)硬盤執(zhí)行快速銷毀流程。高電壓灌入后，對存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的NAND Flash顆粒進(jìn)行物理上的摧毀破壞，從而使保存在電子盤上的數(shù)據(jù)從物理層面上徹底銷毀。
物理銷毀操作步驟
A.操作前，請務(wù)必確認(rèn)您的銷毀觸發(fā)方式，銷毀高壓輸入管腳為P1、P2管腳，輸入電壓請保持28V，電流不超過3A
B. 整個(gè)物理銷毀進(jìn)程持續(xù)最大不超過3秒。
C. 銷毀完成后，固態(tài)硬盤內(nèi)部的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)顆粒NAND Flash將全部損壞，固態(tài)硬盤徹底報(bào)廢。
